晶体管类型：PNP型BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据具体分档）
　　封装类型：TO-92-3

SS8550晶体管具有多个显著特性，使其在电子电路设计中备受青睐。首先，它的电流增益范围较大，根据不同的分档（如O档、Y档、GR档、BL档等），hFE可以在110到800之间变化，这使得设计者可以根据需要选择适合的晶体管型号。其次，该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于多种低功率应用。此外，其增益带宽积达到100MHz，支持高频信号放大。TO-92-3封装形式不仅节省空间，而且便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。
　　SS8550还具有良好的热稳定性和低噪声特性，适用于放大微弱信号的场合。其最大功率耗散为300mW，在正常工作条件下不易过热。同时，该晶体管的工作温度范围较宽，最高可达150°C，适合在不同环境条件下使用。由于其性能稳定、价格低廉，SS8550广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信设备中。

SS8550常用于低频放大电路和开关电路中，例如音频放大器中的前置放大级、信号调节电路中的缓冲器以及数字电路中的逻辑开关。在消费电子产品中，它可用于驱动LED、继电器和小型电机等负载。此外，该晶体管也适合用于温度传感器电路、电源管理模块以及各种模拟和数字混合信号电路。由于其良好的性能和低廉的成本，SS8550在教育实验和DIY电子项目中也得到了广泛应用。

BC557, 2N3906