SS84是一款N沟道小信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于各种开关和功率控制电路中。SS84以其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性而著称,适用于消费电子、工业控制、电源管理等多种领域。
SS84的封装形式通常为SOT-23,这种小型表面贴装封装使其非常适合于空间受限的应用场合。它具有较低的栅极电荷和输入电容,这使得其驱动非常简单,适合高频应用。
最大漏源电压:50V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:0.4A
脉冲漏极电流:1.2A
导通电阻:1.8Ω
栅极电荷:3nC
总电容:25pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
SS84的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
2. 高速开关性能,支持高频电路设计。
3. 小型化SOT-23封装,节省PCB空间。
4. 较高的漏源电压耐受能力,确保在多种应用场景下的稳定性。
5. 栅极阈值电压低,便于与低压逻辑电路兼容。
6. 具有出色的热稳定性和电气性能。
SS84可应用于以下领域:
1. 开关模式电源中的同步整流电路。
2. 消费类电子产品中的负载开关。
3. 工业控制设备中的信号切换。
4. 各种电池供电设备中的电源管理。
5. 电机驱动和LED驱动电路。
6. 数据通信设备中的保护电路。
SI2302DS, BSS138, FDC6502