SS820是一种N沟道小信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻、快速开关速度和良好的电流处理能力,广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要高效开关和低功耗的场合。
该器件通常用于电源管理、负载开关、保护电路以及音频设备等领域。由于其小型化封装和高可靠性,SS820在便携式设备和空间受限的应用中非常受欢迎。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:0.5A
脉冲漏极电流:1.7A
导通电阻:1.3Ω
总功耗:400mW
结温范围:-55℃至+150℃
SS820的主要特性包括:
1. 高速开关性能,适用于高频应用。
2. 极低的导通电阻,能够减少功率损耗并提高效率。
3. 较高的漏极电流处理能力,适合驱动中小功率负载。
4. 小型SOT-23封装,便于PCB布局和节省空间。
5. 稳定的工作温度范围,适应多种工作环境。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
SS820主要应用于以下领域:
1. 电源管理中的负载开关和过流保护。
2. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
3. 消费类电子产品中的电池保护和充电控制。
4. 音频设备中的电平转换和信号切换。
5. 各种工业自动化设备中的信号隔离与控制。
6. LED驱动器和其他低功率直流电机控制。
SSM3K333R, BSS138, 2N7000