工作电压范围：10V ~ 28V
　　启动电流：<5μA
　　最大占空比：85%
　　开关频率：固定65kHz
　　电流检测上升时间滤波：约200ns
　　反馈控制方式：电流模式PWM
　　封装形式：SOP-8
　　内置高压启动：支持
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　保护功能：OCP、OVP、UVLO、OTP、开路保护
　　控制模式：准谐振（QR）/DCM/CCM 多模式自适应
　　导通电阻（VDS(on)）：无集成MOS，仅控制器
　　待机功耗：<30mW @ 230VAC
　　音频噪声抑制：有

SS6680-N35CU采用了先进的多模式PWM控制技术，能够在不同负载条件下智能切换工作模式，从而在全负载范围内实现最优效率。在重载时进入准谐振（QR）模式，利用MOSFET在漏源电压谷底导通（Valley Switching），显著降低开关损耗，提升转换效率并减少发热；在中等负载下运行于断续导电模式（DCM），保持良好动态响应；而在轻载或空载时则自动切换至突发模式（Burst Mode），大幅降低开关频率和驱动损耗，有效控制待机功耗，满足严苛的节能标准。该芯片内置的频率折叠（Frequency Folding）功能可在轻载时缓慢降低频率，避免产生可闻噪声，提升用户体验。
　　为了提高系统的稳定性与安全性，SS6680-N35CU集成了多重保护机制。过流保护（OCP）通过检测初级侧电流信号实现逐周期限流，并结合前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）技术防止因电流尖峰引起的误触发。过压保护（OVP）通过光耦反馈回路监测次级输出电压，一旦异常升高即刻关闭输出，防止损坏后端电路。欠压锁定（UVLO）确保芯片在供电电压未达到稳定值前不启动，避免误操作。过温保护（OTP）通过片内温度传感器实时监控芯片温度，当超过设定阈值时自动关断输出，待温度回落后再重启，形成可靠的热管理闭环。
　　该器件还具备良好的电磁兼容性（EMC）设计。通过QR模式下的软开关技术减少dV/dt和dI/dt变化率，配合内部斜坡补偿和优化的栅极驱动波形，有效抑制传导和辐射干扰。此外，芯片支持外部可调OVP和VCC钳位电压设置，便于根据不同应用需求进行定制化配置。其低启动电流设计使得无需额外启动电阻即可完成高压启动，进一步节省功耗和元件数量。总体而言，SS6680-N35CU凭借高集成度、高效率、低待机功耗和全面保护功能，成为现代绿色电源设计中的理想选择。

SS6680-N35CU广泛应用于各类低功率AC-DC开关电源系统中，典型应用场景包括手机、平板电脑及其他便携设备的充电器，尤其是5V/1A至5V/2A规格的USB适配器；家用电器中的辅助电源模块，如电视、空调、洗衣机等设备的待机电源（Standby Power Supply）；智能家居设备如路由器、摄像头、门铃、传感器节点等需要小体积、高可靠性的直流供电方案；工业控制领域的隔离电源模块、继电器驱动电源以及LED照明驱动电源等。由于其出色的能效表现和低待机功耗特性，也适用于追求高能源利用率的产品设计，例如符合欧盟ErP指令、美国Energy Star或中国能效标识要求的节能型电子产品。此外，该芯片还可用于电池充电管理系统（Battery Charger Modules）中的初级侧控制单元，提供稳定且安全的输入电源转换功能。其SOP-8封装形式便于自动化贴装，适合大规模生产制造，进一步拓展了其在消费电子与工业市场中的应用前景。

SY5080A
　　OB2263
　　LNK626PG
　　TNY278PN
　　MP6003