类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A
　　导通电阻 RDS(on)：2.7mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻测试条件：ID=80A
　　输入电容（Ciss）：约 2900pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

SS406UWWA/S290 具备多项优良特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 仅为 2.7mΩ，这使得该 MOSFET 非常适合高电流应用。其次，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通性能和开关速度，从而在高频开关电路中表现出色，减少了开关损耗。
　　此外，SS406UWWA/S290 的 D2PAK 封装具有良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB 或散热片上，从而提高器件的热稳定性和可靠性。该封装也支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高装配效率。其高栅极电压容限（±20V）确保了在各种工作条件下栅极驱动电路的安全性，并提高了抗干扰能力。
　　该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得在高频开关应用中所需的驱动功率更低，从而提高了系统的整体能效。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于工业、汽车等恶劣环境下的应用。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，支持绿色电子产品的设计需求。

SS406UWWA/S290 主要应用于需要高效率、大电流和低导通损耗的功率电子系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关元件，用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，以实现高效的电压转换。在同步整流电路中，该器件可用于替代传统二极管，显著降低导通压降，提高整流效率。
　　在电机驱动系统中，SS406UWWA/S290 可用于 H 桥电路中，作为电机的双向开关元件，提供快速响应和良好的热稳定性。此外，该 MOSFET 还适用于电源管理模块，如负载开关、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）以及服务器和通信设备的电源供应单元。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、DC-DC 转换器、电动助力转向系统（EPS）以及其他高功率需求的汽车控制系统中。由于其高可靠性和良好的热性能，SS406UWWA/S290 在这些应用中表现出色。

SiS406DN, IRF1604, NexFET CSD17551Q5A, IPB011N06N3 G