时间：2025/8/15 5:47:50
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SS3040HE_R1_00001 是一款由 MagnaChip 生产的高压、高频、高效率的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等高性能电子系统中。该器件采用先进的高压工艺技术制造，具备优异的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适合在高功率密度和高效率要求的应用中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：3A
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.5Ω @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SS3040HE_R1_00001 的最大漏源电压为 400V，使其适用于高压电源应用，如 AC-DC 电源适配器、LED 驱动器和电机控制电路。该器件具有低导通电阻，能够在高电流条件下提供较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，其高频开关能力使其适用于高频率工作的 DC-DC 转换器和同步整流电路。
该 MOSFET 具有良好的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下可靠运行。其 TO-252 封装形式具备良好的散热性能，同时适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和紧凑的 PCB 布局设计。栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的栅极驱动 IC，方便设计人员集成到各种功率电路中。
SS3040HE_R1_00001 还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态电压冲击，提高系统的稳定性和可靠性。此外，其内部结构优化减少了寄生电容，从而降低开关损耗，提高高频应用的效率。
该器件主要应用于高压功率转换系统，如离线式 AC-DC 电源、LED 照明驱动器、电池充电器、工业自动化控制系统、马达驱动器以及高效率的 DC-DC 转换器。由于其高耐压和低导通电阻特性，SS3040HE_R1_00001 在需要高效能、小体积和高可靠性的电子设备中得到了广泛应用，例如消费类电子产品、工业设备和汽车电子系统。
SiHP044N60ED, FQP4N60C, IRFR3708PBF
