时间：2025/5/10 18:00:02
阅读：11
SS2200是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。
SS2200通过优化设计以降低功耗并提高效率，其工作电压范围较宽，能够在高频率条件下保持良好的性能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：13A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：75W
结温范围：-55℃至+150℃
SS2200具备低导通电阻的特点，这使得它在大电流应用中可以显著减少发热和功耗。
此外，SS2200还拥有较快的开关速度，有助于提升电路的整体效率，并减少电磁干扰问题的发生几率。
该器件采用了先进的制造工艺，在保证高性能的同时也提升了产品的可靠性与耐用性。
其较大的电流处理能力和坚固的结构使其非常适合于需要频繁启停或负载变化剧烈的应用场景。
SS2200广泛应用于开关电源适配器、直流-直流转换器、LED照明驱动、电池管理单元、电机控制以及其他电力电子设备当中。
由于其优秀的电气特性和稳定性，SS2200也是工业自动化设备及家用电器中的理想选择。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP18N06L
