时间：2025/4/27 17:45:33
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SS1FH10HM3/H 是一款高性能的 SiC（碳化硅）MOSFET 功率器件，专为高频、高效和高功率密度的应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其封装形式通常为 TO-247 或表面贴装类型，具体取决于制造商的设计。该芯片广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等领域。
额定电压：1200V
额定电流：10A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：高达500kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
SS1FH10HM3/H 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高效率。
3. 高耐压能力（1200V），适合高压环境下的应用。
4. 良好的高温稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定性能。
5. 内置反并联二极管，支持双向电流流动，适用于高频整流和逆变电路。
6. 紧凑型封装设计，简化系统布局并提升散热性能。
该芯片的主要应用领域包括：
1. 工业电源转换系统，如不间断电源（UPS）和焊接设备。
2. 太阳能光伏逆变器，用于将直流电转换为交流电。
3. 电动汽车车载充电器和快速充电桩。
4. 高频DC-DC转换器和电机驱动控制器。
5. 其他需要高效功率管理的电子设备。
C2M0080120D, FGH10N120SMD
