SS138 是一款常用的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等电路中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适合中高功率应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):160A(在 25°C)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
导通电阻(Rds(on)):最大 4.5mΩ(在 Vgs = 10V)
封装形式:TO-263(D2PAK)
SS138 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这使得在高电流应用中功率损耗显著降低,提高了系统效率。其采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了优异的开关性能和快速响应能力。
此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。TO-263(D2PAK)封装形式不仅便于安装,还具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
SS138 还具有较高的耐用性和抗冲击能力,能够承受较大的电流脉冲和电压波动,适用于各种工业控制和电源管理系统。
SS138 常用于电源管理领域,如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制器。在工业自动化设备、电动工具、电动车和电源适配器中均有广泛应用。
由于其优异的导通性能和热稳定性,SS138 也常用于需要高效率和高可靠性的系统中,如通信设备、服务器电源和太阳能逆变器。
IRF138、SiSS138、SiR138DP、FDMS8880、FDS4880