SS1060HE 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制等领域。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):100A(在 25°C 下)
最大漏极-源极电压(VDS):60V
最大栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):6.0mΩ(典型值,VGS=10V)
最大功耗(PD):250W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
SS1060HE 采用了 STMicroelectronics 的先进沟槽式 MOSFET 技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。其 60V 的漏极-源极击穿电压适用于多种中高功率应用,如同步整流、DC-DC 转换器以及负载开关等。该器件具有快速的开关速度,减少了开关过程中的能量损耗,有助于提高整体系统的能效。此外,SS1060HE 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。TO-263 封装形式不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,便于自动化生产和安装。
SS1060HE 主要应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。例如,在同步整流电路中,它可以有效降低导通损耗,提高转换效率;在 DC-DC 转换器中,作为主开关或同步整流开关,实现高效的电压转换;在电池管理系统中,用于控制充放电路径,确保电池的安全运行;在电机驱动和负载开关电路中,作为高电流开关元件,提供快速响应和稳定的控制性能。此外,该器件也适用于电源适配器、服务器电源、工业控制系统等高功率密度和高效率要求的电子设备。
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