时间：2025/8/15 5:44:40
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SS1060HE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A（在 25°C 下）
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ（典型值，VGS=10V）
最大功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
SS1060HE 采用了 STMicroelectronics 的先进沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其 60V 的漏极-源极击穿电压适用于多种中高功率应用，如同步整流、DC-DC 转换器以及负载开关等。该器件具有快速的开关速度，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提高整体系统的能效。此外，SS1060HE 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。TO-263 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和安装。
SS1060HE 主要应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。例如，在同步整流电路中，它可以有效降低导通损耗，提高转换效率；在 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流开关，实现高效的电压转换；在电池管理系统中，用于控制充放电路径，确保电池的安全运行；在电机驱动和负载开关电路中，作为高电流开关元件，提供快速响应和稳定的控制性能。此外，该器件也适用于电源适配器、服务器电源、工业控制系统等高功率密度和高效率要求的电子设备。
STL1060HE | STP1060HE | IPW60R006S | SiR100DP
