型号：SS05015M-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大连续漏极电流(ID)：5.0A @ TC=70°C
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：20A
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 0.9V
　　导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.5A
　　导通电阻(RDS(on))：2.0mΩ @ VGS=2.5V, ID=2.5A
　　输入电容(Ciss)：380pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：120pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
　　总栅极电荷(Qg)：5.8nC @ VGS=4.5V
　　开启延迟时间(td(on))：4ns
　　关断延迟时间(td(off))：12ns
　　封装形式：DFN2020-6L
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

SS05015M-TL-E采用了AON Semiconductor先进的TrenchFET工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势在于RDS(on)仅为1.5mΩ（在VGS=4.5V时），这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。尤其是在大电流应用场景下，如同步降压变换器或电池充放电回路中，这种低阻特性能够有效减少发热，提升系统可靠性。此外，该器件在低至2.5V的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通状态（RDS(on)≤2.0mΩ），使其兼容于现代低压逻辑控制器和PMIC输出，适用于1.8V、3.3V等主流供电平台。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg=5.8nC）和输入电容（Ciss=380pF），这意味着它可以在高频开关条件下快速响应，降低驱动功耗并减少开关损耗。这对于提高DC-DC转换器的工作频率、缩小外围元件尺寸（如电感和电容）具有重要意义。同时，短的开启和关断延迟时间（分别为4ns和12ns）进一步增强了其在高频应用中的表现，有助于实现更快的瞬态响应和更高的环路带宽。
　　DFN2020-6L封装不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB接地层高效导出热量，确保器件在高负载条件下也能维持较低的工作温度。这种封装结构也支持自动化贴片生产，满足大规模SMT工艺需求。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和ESD防护能力，提升了在复杂电磁环境下的鲁棒性。综合来看，SS05015M-TL-E是一款集高性能、小尺寸、高可靠性和易集成于一体的先进功率MOSFET，非常适合用于对效率和空间有严格要求的现代电子系统。

SS05015M-TL-E主要应用于各类高效率电源管理系统中，尤其适合需要低导通损耗和小封装尺寸的设计场景。典型应用包括便携式消费类电子产品中的同步整流型DC-DC降压转换器，例如智能手机、平板电脑和智能手表等设备的主电源轨或子电源模块。在此类应用中，其低RDS(on)可显著提升转换效率，延长电池续航时间。该器件也可用于电池保护电路和负载开关设计，作为通断控制元件，提供快速响应和低静态功耗。在多路电源切换或多电池供电系统中，SS05015M-TL-E可用于防止反向电流流动，实现理想的二极管功能（ideal diode）。
　　此外，在服务器和通信设备的分布式电源架构中，该MOSFET可用于POL（Point-of-Load）电源模块的同步整流部分，配合控制器实现高效能量转换。由于其支持1.8V以上的逻辑电平驱动，因此可以直接由PMIC或MCU GPIO进行控制，简化电路设计。在LED背光驱动、电机驱动和热插拔电源管理等需要精确电流控制和快速开关响应的应用中，SS05015M-TL-E同样表现出色。得益于其高电流承载能力和良好的热稳定性，该器件还能胜任USB Type-C PD快充协议下的电源路径管理任务，在适配器、移动电源和笔记本电脑充电电路中发挥关键作用。总体而言，凡是追求高效率、高集成度和小型化的电源系统，都是SS05015M-TL-E的理想应用场景。

AON6240
　　AOZ5211AN
　　Si2301DDS