型号：SS-3GL111P
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：3 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50 A
　　正向电压降（VF）：典型值0.875 V（在3A、25°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1 mA（在100V、25°C）；10 mA（在100V、125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：TO-220AC
　　安装方式：通孔（Through-Hole）
　　引脚数：3

SS-3GL111P的核心优势在于其出色的电学性能与热稳定性结合，特别适合用于高效率电源系统中。该器件采用了先进的平面肖特基工艺，确保了低正向导通压降和快速开关响应。在3A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.875V，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低了导通损耗，提升了整体能效。这对于追求节能和小型化的现代电源设计至关重要。同时，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此具有极短的反向恢复时间（trr），通常小于10ns，这使得它在高频开关环境中几乎不会产生反向恢复电荷（Qrr），避免了由此引发的开关尖峰和电磁干扰问题。
　　另一个关键特性是其优异的热管理能力。TO-220AC封装不仅提供了良好的机械强度，还具备较强的散热性能，允许用户通过外接散热片进一步提升功率处理能力。这种封装结构使得SS-3GL111P可以在持续高负载条件下保持稳定的电气性能。此外，该器件的最大工作结温高达+175°C，远高于许多标准二极管，意味着即使在恶劣的高温环境中也能可靠运行。这一特性对于工业控制、汽车电子或户外设备等应用场景尤为重要。
　　从可靠性角度看，SS-3GL111P经过严格的质量控制流程制造，具备高抗浪涌能力，可承受高达50A的峰值非重复浪涌电流，增强了对瞬态过流事件的耐受性。其反向漏电流随温度变化较小，在高温环境下的表现优于同类产品，有助于维持系统的长期稳定性。此外，该器件符合国际环保标准，不含铅和卤素，满足全球市场的合规要求。综合来看，SS-3GL111P凭借其高效、耐用、安全的设计理念，已成为中功率整流应用中的优选方案之一。

SS-3GL111P广泛应用于各类需要高效、高可靠整流功能的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作输出整流二极管，特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中，利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率并减少热量产生。在逆变器系统中，如太阳能逆变器或UPS不间断电源，该器件可用于直流侧的防反接保护或能量回馈路径，确保能量单向流动的同时降低损耗。
　　在工业自动化设备中，SS-3GL111P可用于电机驱动电路中的续流（freewheeling）二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护主开关器件免受电压冲击。其高浪涌电流能力和宽温度范围使其非常适合这类存在频繁启停和大电流波动的应用场景。
　　此外，该器件也常见于电信电源系统、服务器电源模块以及LED驱动电源中，作为次级侧整流元件使用。在这些应用中，系统的高可用性和长期稳定性至关重要，而SS-3GL111P的高可靠性与长寿命正好满足这些需求。同时，其符合RoHS和无卤素标准的特点也使其适用于出口型电子产品和绿色环保项目。
　　在消费类电子产品中，如大功率充电器、笔记本电脑电源适配器等，SS-3GL111P可用于提高能效等级，帮助产品通过能源之星或其他能效认证。总之，凡是需要在100V电压等级下实现3A左右连续整流且注重效率与可靠性的场合，SS-3GL111P都是一个极具竞争力的选择。

SB3100
　　MBR340
　　STTH3R06D