时间：2025/6/17 4:13:03
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SRT60L100DC是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
该MOSFET通过优化的芯片设计实现了较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统的整体效率。此外，其高雪崩击穿能力和稳健的设计使其能够应对严苛的工作环境。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：60A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
SRT60L100DC的主要特点是其低导通电阻和快速开关性能，这使得它非常适合用于高频开关电源、电机驱动以及负载开关等应用。
1. 低导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ，能够在高电流条件下减少功耗，提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力：确保在异常情况下，例如短路或过载时，器件仍能正常工作。
3. 快速开关速度：低栅极电荷和输出电荷使该MOSFET在高频应用中表现出色。
4. 稳健的热性能：采用先进的封装技术，提供优异的散热能力，支持长时间稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围：从-55℃到+175℃，适应多种极端环境下的应用需求。
SRT60L100DC广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器及工业电源。
2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型电机的驱动电路。
3. 电池管理系统（BMS）：为电动车、储能系统提供高效的开关控制。
4. 汽车电子：用于启动停止系统、电动助力转向（EPS）、空调压缩机以及其他车载电子设备。
5. 工业自动化：如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等设备中的功率开关组件。
SRT60L100DCT, SRT60L100DCP
