时间：2025/4/30 17:59:45
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SRT30L45CT是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用Trench技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
其封装形式为TO-263（DPAK），适合表面贴装工艺，便于自动化生产。SRT30L45CT适用于多种工业和消费类电子应用，特别是在需要高效率和良好热性能的设计中表现优异。
漏源电压：45V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：37nC
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
SRT30L45CT具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型值下仅为1.8mΩ，有助于降低导通损耗。
2. 高电流承载能力，可支持高达30A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，栅极电荷较小，仅为37nC，从而降低开关损耗。
4. 优化的热性能设计，允许在高温环境下稳定运行。
5. 封装紧凑，支持表面贴装，易于集成到现代电子产品中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得SRT30L45CT成为高效功率转换和开关应用的理想选择。
SRT30L45CT适用于广泛的电子应用领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器和降压/升压电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 消费类电子产品中的电池充电管理。
6. 汽车电子中的辅助功率模块。
由于其出色的电气性能和热性能，SRT30L45CT能够在各种复杂的工作条件下提供可靠的解决方案。
SRT30L45CS, IRF3205, AO3400A
