SRT30L100CT 是一种高性能的 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET)。它广泛应用于需要高效率和快速开关特性的电路设计中,例如电源管理、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用 TO-252 封装形式,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能,能够满足多种功率转换需求。
其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)以及优秀的开关速度。这些特性使得 SRT30L100CT 在便携式设备、消费电子和其他低功耗系统中表现出色。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:4.6A
栅极-源极电压:±20V
导通电阻(在 Vgs=10V 时):0.8Ω
总功耗:1.1W
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
SRT30L100CT 的关键特性在于其低导通电阻和快速开关能力,这可以有效降低导通损耗并提高系统的整体效率。
1. 高击穿电压:该器件具备高达 100V 的漏源电压耐受能力,适合多种中低压应用场景。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,其 Rds(on) 仅为 0.8Ω,可显著减少能量损失。
3. 快速开关:由于较低的输入和输出电荷,SRT30L100CT 能够实现快速的开关动作,从而降低开关损耗。
4. 紧凑封装:TO-252 封装提供了一个小型化解决方案,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
5. 宽温度范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的结温范围内稳定运行,适用于恶劣环境下的操作。
SRT30L100CT 常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或初级侧开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电池保护电路及负载切换。
4. 电机控制和驱动,如步进电机或无刷直流电机的相位控制。
5. 各类消费电子产品中的电源管理和信号切换功能。
其卓越的电气性能和可靠性使其成为许多现代电子产品的理想选择。
SRT30L100N, IRF7404, AO3400