时间：2025/7/23 18:04:42
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SRT15N050HTLTR-G 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。这款 MOSFET 设计用于高效率、高频率开关应用，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等多种功率电子系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：50V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 23mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SRT15N050HTLTR-G 具有低导通电阻的特性，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其 N 沟道增强型结构提供了良好的开关性能和热稳定性。该器件采用 TO-252 封装，具有良好的热管理能力，适合在高电流条件下工作。此外，它具备较高的耐压能力（Vds=50V），可在多种电源管理系统中可靠运行。器件的栅极驱动电压范围宽广（±20V），便于与不同类型的控制电路兼容。
该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定工作，其最大工作温度可达 150°C，适用于各种工业级应用。由于其封装形式便于安装和散热设计，SRT15N050HTLTR-G 也广泛用于需要紧凑设计和高可靠性的小型电源模块和电机驱动电路中。
SRT15N050HTLTR-G 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及各种类型的电源模块。它在汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备中都有广泛应用。例如，在电源适配器中，它可作为主开关器件用于提高转换效率；在电机控制中，该器件可作为 H 桥结构的开关元件；在电池充电管理系统中，可用于控制充放电路径，确保系统的安全运行。
Si4410BDY-E3, IRFZ44N, FDS4410, SIR178DP-T1-GE3
