SRT10L150SFCT 是一种高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-263 封装。这种器件通常用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。它具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提高系统性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:10A
导通电阻(典型值):150mΩ
栅极电荷:45nC
总电容(输入、输出和反向传输):依具体工况而定
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
SRT10L150SFCT 提供了出色的电气性能和可靠性,主要特性如下:
1. 极低的导通电阻,在大电流条件下减少了功率损耗。
2. 快速的开关速度,降低了开关损耗,从而提高了整体效率。
3. 高雪崩击穿能力,增强了在过载或异常条件下的生存能力。
4. 紧凑的封装形式,有助于节省 PCB 空间。
5. 宽广的工作温度范围,适应各种严苛环境下的使用要求。
此外,这款 MOSFET 的高耐用性和稳定性使其成为众多工业及消费类应用的理想选择。
SRT10L150SFCT 可广泛应用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压及正负转换电路。
3. 电动工具、家用电器以及其他需要电机控制的应用。
4. 能量回收系统和太阳能逆变器中的关键组件。
5. 过流保护电路和负载切换功能模块。
由于其优异的性能表现,此器件非常适合用在对效率和可靠性要求较高的场合。
SRT11L150SFCT, SRT12L150SFCT, IRF150N