SRM40L60CT 是一款基于硅技术的 N 沟道 MOSFET 场效应晶体管,广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理领域。该器件采用了先进的制造工艺,优化了导通电阻和开关性能,在高频应用中表现出色。
其封装形式为 TO-220FP,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷(典型值):90nC
输入电容(典型值):1350pF
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-220FP
SRM40L60CT 具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
2. 高击穿电压(60V),确保在高压环境下稳定运行。
3. 优化的开关特性,支持高频应用场合。
4. 大电流承载能力(高达 40A),适用于高负载电路。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 良好的热性能表现,提高系统可靠性。
该器件适用于多种工业和消费类电子设备,具体包括:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机控制。
3. 工业自动化设备中的功率调节。
4. 电池保护和充电管理系统。
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率开关组件。
IRFZ44N, STP40NF06, FDP069N06L