时间：2025/6/4 12:21:27
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SRM40L60CT 是一款基于硅技术的 N 沟道 MOSFET 场效应晶体管，广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理领域。该器件采用了先进的制造工艺，优化了导通电阻和开关性能，在高频应用中表现出色。
其封装形式为 TO-220FP，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：90nC
输入电容（典型值）：1350pF
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-220FP
SRM40L60CT 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高击穿电压（60V），确保在高压环境下稳定运行。
3. 优化的开关特性，支持高频应用场合。
4. 大电流承载能力（高达 40A），适用于高负载电路。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 良好的热性能表现，提高系统可靠性。
该器件适用于多种工业和消费类电子设备，具体包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机控制。
3. 工业自动化设备中的功率调节。
4. 电池保护和充电管理系统。
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率开关组件。
IRFZ44N, STP40NF06, FDP069N06L
