时间：2025/12/25 16:15:58
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SRM2B256LMX70是一款由Silicon Storage Technology（SST）公司推出的高性能、低功耗的串行闪存芯片，属于SST25系列的一部分。该器件采用先进的SuperFlash技术，具备高可靠性与耐久性，广泛应用于需要代码存储、数据记录和固件更新的嵌入式系统中。SRM2B256LMX70的容量为256 Mbit（即32 MB），采用标准的SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，支持双I/O和四I/O模式，能够实现高速数据读取，适用于对启动时间和运行效率有较高要求的应用场景，如网络设备、工业控制、汽车电子、消费类电子产品等。该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容3.3V系统，并具备多种节能模式，包括休眠模式和低功耗待机模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。封装形式为8引脚SOIC或WSON，体积小巧，适合空间受限的设计。此外，SRM2B256LMX70集成了写保护机制、状态寄存器锁定功能以及硬件/软件写保护选项，有效防止意外数据写入或擦除，保障存储数据的安全性与完整性。
型号：SRM2B256LMX70
制造商：SST (Silicon Storage Technology)
存储容量：256 Mbit (32 MB)
接口类型：SPI, 支持 Dual I/O 和 Quad I/O
时钟频率：最高支持104 MHz
工作电压：2.7V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：8-SOIC 或 8-WSON
页面大小：256 字节
扇区大小：4 KB
块大小：64 KB
擦除时间（典型值）：25 ms (4KB 扇区)
编程时间（典型值）：3 ms (256 字节页面)
耐久性：100,000 次编程/擦除周期
数据保持时间：超过100年
写保护功能：支持软件与硬件写保护、状态寄存器锁定
SRM2B256LMX70采用SST独有的SuperFlash技术，这项技术基于分栅CMOS结构，能够在较低的编程电压下实现快速的字节级编程和扇区级擦除操作，显著提升了存储器的写入效率和整体性能。与传统浮栅型闪存相比，SuperFlash具有更高的耐久性和更长的数据保持能力，可支持高达10万次的编程/擦除周期，并确保在极端环境下数据保存超过100年，适用于工业级和汽车级应用。该芯片支持标准SPI指令集，同时兼容快速读取、双输出（Dual Output）、双输入/输出（Dual I/O）以及四输入/输出（Quad I/O）模式，在104MHz时钟频率下，四I/O模式的数据吞吐率可达416 Mbps，极大地缩短了系统启动时间和固件加载延迟。
为了增强系统的稳定性与安全性，SRM2B256LMX70内置多层级保护机制，包括软件和硬件写保护、状态寄存器锁定（Status Register Lock）、以及上电复位（Power-on Reset）电路，防止因电源波动或误操作导致的关键数据丢失。其灵活的扇区架构允许用户按4KB小扇区进行精细擦除，也可使用64KB大块进行批量操作，优化了存储管理效率。此外，芯片支持三种低功耗模式：休眠模式、待机模式和深度功率下降模式，可在空闲期间大幅降低电流消耗，典型待机电流低于1 μA，非常适合便携式和电池供电设备。
SRM2B256LMX70还具备优异的抗干扰能力和电磁兼容性（EMC），通过了严格的工业环境测试，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行。制造工艺符合RoHS环保标准，支持无铅焊接流程，适用于自动化贴片生产。该器件已被广泛用于路由器、智能电表、车载信息娱乐系统、医疗监控设备等领域，作为Boot Code、配置参数或操作系统映像的可靠存储介质。
SRM2B256LMX70因其高容量、高速度和高可靠性，被广泛应用于多个领域。在通信设备中，常用于存储路由器、交换机和基站的引导程序（Bootloader）和固件镜像，利用其快速读取能力实现系统快速启动；在工业控制系统中，可用于PLC、HMI面板和远程I/O模块中的配置数据与日志记录存储；在汽车电子方面，适用于仪表盘显示、ADAS辅助驾驶系统和车载导航设备中的代码存储；在消费类电子产品中，常见于智能电视、机顶盒、数码相机和游戏机中用于存放操作系统和应用程序；此外，在医疗设备、测试仪器和物联网网关中也发挥着重要作用，提供安全可靠的非易失性存储解决方案。
W25Q256JV
SST25WF0256
