时间：2025/11/7 12:13:17
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SRM2A256LLRMT1是一款由Microchip Technology生产的串行铁电随机存取存储器（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM）芯片。该器件结合了非易失性存储器的特性与类似RAM的高速读写能力，能够在断电后依然保存数据，同时具备几乎无限次的读写耐久性。SRM2A256LLRMT1采用先进的铁电技术，相较于传统的EEPROM和闪存，在写入速度、功耗和耐久性方面具有显著优势。该芯片广泛应用于需要频繁数据记录、快速写入和低功耗操作的工业、医疗、汽车及消费类电子系统中。
该器件提供256Kbit（32K × 8）的存储容量，支持标准的SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，最高时钟频率可达40MHz，能够实现高速数据传输。其工作电压范围为2.0V至3.6V，适用于多种供电环境，尤其适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。封装形式为8引脚SOIC（Small Outline Integrated Circuit），便于在紧凑型PCB设计中布局。
SRM2A256LLRMT1内置写保护机制，支持硬件和软件写保护功能，防止意外的数据覆盖或修改。此外，该芯片具备高可靠性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，满足严苛环境下的使用需求。由于其卓越的性能表现，SRM2A256LLRMT1常被用于数据日志记录、配置参数存储、实时事件追踪以及需要高耐久性的嵌入式系统中。
型号：SRM2A256LLRMT1
类型：串行FRAM
容量：256 Kbit
组织结构：32K × 8
接口：SPI（四线制）
时钟频率：最高40 MHz
工作电压：2.0 V ~ 3.6 V
工作温度：-40 °C ~ +85 °C
封装：8-SOIC
写入耐久性：10^14 次/字节
数据保持时间：10 年（典型值）
写保护功能：支持硬件WP引脚和软件保护
供电电流：读取约5 mA，写入约7 mA
待机电流：小于1 μA
SRM2A256LLRMT1的核心特性之一是其基于铁电技术的非易失性存储单元，这种技术利用铁电材料的极化状态来存储数据，无需传统EEPROM或闪存所需的高电压编程过程，因此可以像普通RAM一样进行快速写入操作。该芯片的写入速度极快，几乎没有延迟，允许连续的数据流写入，非常适合需要实时数据采集和记录的应用场景，例如工业传感器节点、智能仪表和医疗监测设备。
另一个关键优势是其超高的写入耐久性，达到10^14次每字节，远高于传统EEPROM（通常为10^5~10^6次）和闪存（约10^4~10^5次）。这意味着SRM2A256LLRMT1可以在极端频繁的数据更新环境下长期可靠运行，而不会出现存储单元老化或失效的问题。这一特性使其成为需要频繁更新配置信息、状态日志或交易记录系统的理想选择。
该芯片还具备出色的低功耗特性。在主动读写模式下，其电流消耗非常低；而在待机或休眠状态下，电流可降至微安级别甚至更低，有助于延长电池寿命。这对于便携式设备、无线传感器网络和远程监控系统尤为重要。
此外，SRM2A256LLRMT1支持标准SPI接口，兼容性强，易于与各种微控制器（MCU）连接。它支持SPI模式0和模式3，具备灵活的通信配置选项，并可通过硬件写保护引脚（WP）实现物理级别的数据保护，防止误操作导致的数据损坏。所有写操作均无需预擦除步骤，简化了软件设计流程，提升了系统响应效率。
SRM2A256LLRMT1因其高速写入、高耐久性和低功耗特性，广泛应用于多个领域。在工业自动化系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数据采集模块和传感器节点中的实时数据记录，确保关键过程信息不会因断电而丢失。
在智能电表、水表和燃气表等计量设备中，该芯片用于存储计费数据、使用日志和校准参数，能够在频繁更新的同时保证数据完整性与长期保存能力。由于其抗辐射和高可靠性，也适用于恶劣电磁环境下的应用。
在医疗电子领域，SRM2A256LLRMT1可用于病人监护仪、便携式诊断设备和植入式器械中，记录患者生命体征、操作日志和设备设置，确保在突发断电情况下仍能保留重要信息。
此外，在汽车电子系统中，该芯片可用于存储车辆配置信息、故障码记录和黑匣子数据，满足车规级可靠性要求。消费类电子产品如POS终端、打印机、智能家居网关等也采用该器件进行快速配置存储和事件日志管理。其通用性和高性能使其成为现代嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。
CY15B104QSN,CY15B108QN,S25FL256S
