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SRM2264LM10-B 发布时间 时间:2025/12/25 15:40:16 查看 阅读:21

SRM2264LM10-B是一款由Silergy(矽力杰)推出的高效同步降压型DC-DC转换器芯片,广泛应用于需要高效率、小尺寸电源解决方案的电子设备中。该器件集成了高压侧和低压侧MOSFET,能够在宽输入电压范围内稳定工作,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及嵌入式系统中的电源管理模块。SRM2264LM10-B采用电流模式控制架构,具备快速瞬态响应能力,能够有效应对负载突变带来的电压波动,确保输出电压的稳定性。该芯片封装形式为QFN-10L(3mm×3mm),具有良好的热性能和空间利用率,适合对PCB面积要求严苛的设计场景。其内置补偿电路简化了外部元件设计,降低了整体BOM成本并提升了系统可靠性。此外,SRM2264LM10-B支持可调输出电压配置,通过外部分压电阻网络即可设定目标输出,灵活性强。芯片还集成了多种保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和输出短路保护,保障系统在异常工况下的安全运行。

参数

工作输入电压范围:4.5V ~ 18V
  输出电压范围:0.6V ~ 5.5V(可调)
  最大连续输出电流:4A
  开关频率:典型值500kHz
  静态电流:典型值30μA(关断模式下小于1μA)
  占空比范围:0% ~ 100%
  反馈参考电压:0.6V ±1%
  导通电阻(HS-FET):典型值50mΩ
  导通电阻(LS-FET):典型值35mΩ
  工作结温范围:-40°C ~ +125°C
  封装类型:QFN-10L (3mm × 3mm)
  引脚兼容性:与同系列其他型号部分兼容

特性

SRM2264LM10-B采用峰值电流模式控制架构,提供优异的负载调整率和线路调整率,能够实现精确的输出电压调节。其内部集成的高压侧和低压侧MOSFET不仅提高了功率密度,还减少了外围元器件数量,从而缩小了整体解决方案尺寸。该芯片支持高达4A的持续输出电流,在满载条件下仍能保持高转换效率,典型效率可达95%以上,显著降低功耗与发热。得益于优化的栅极驱动设计,SRM2264LM10-B在轻载时自动进入脉冲跳跃模式(Pulse Skipping Mode),有效提升轻载效率,延长电池供电设备的续航时间。该器件具备软启动功能,通过内部固定时间或外部电容可调的方式控制启动过程,防止启动瞬间产生过大的浪涌电流,保护输入电源和后级电路。
  为了增强系统的鲁棒性,SRM2264LM10-B集成了全面的保护机制。过流保护通过检测上管峰值电流实现,当超过设定阈值时会触发打嗝模式(hiccup mode),限制故障状态下的能量输出;过温保护则在芯片结温超过安全限值时自动关闭输出,待温度下降后恢复正常运行。此外,芯片还具备输入欠压锁定(UVLO)功能,确保在输入电压未达到正常工作范围前不启动,避免不稳定操作。其反馈环路设计简洁,仅需少量外部元件即可完成补偿,降低了设计复杂度,并提高了系统稳定性。QFN-10L封装具备优良的散热性能,底部裸露焊盘可有效传导热量至PCB,进一步提升热管理能力。这些特性使得SRM2264LM10-B成为中小功率电源应用的理想选择。

应用

SRM2264LM10-B适用于多种需要高效、紧凑型电源解决方案的应用场景。在工业自动化领域,常用于PLC模块、传感器供电单元及现场仪表的板载电源设计;在通信设备中,可用于路由器、交换机和光网络终端(ONT)中的多路电源轨生成。该芯片也广泛应用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、家庭网关和便携式设备的辅助电源系统。由于其宽输入电压范围和高抗干扰能力,特别适合使用12V或5V总线电压进行二次稳压的场合。此外,在嵌入式处理器系统(如ARM架构核心板)中,SRM2264LM10-B可为FPGA、ASIC或MCU提供稳定的内核电压和I/O电压。医疗设备中对电源噪声敏感的应用也可受益于其低纹波和良好瞬态响应特性。电动汽车充电桩、LED照明驱动以及无人机电源管理系统同样是其潜在应用方向。凭借高集成度和高可靠性,SRM2264LM10-B能够满足严苛环境下的长期稳定运行需求。

替代型号

MP2315DN-LF-Z

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