时间：2025/11/7 17:46:19
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SRM2264LC12是一款由Silan（士兰微电子）生产的高性能、高效率的同步整流控制器芯片，专为反激式（Flyback）电源拓扑中的同步整流应用而设计。该芯片主要用于提高AC-DC电源适配器、充电器和内置电源（如TV、显示器、工业电源等）的整体转换效率，特别是在低电压、大电流输出的应用中表现优异。SRM2264LC12采用先进的自适应栅极驱动技术，能够准确识别功率MOSFET的导通与关断时机，从而最大限度地减少体二极管导通时间和开关损耗，提升系统效率并降低温升。
该芯片内部集成了高压启动电路，支持宽输入电压范围，并具备多种保护功能，包括过温保护、欠压锁定（UVLO）、过压保护以及短路保护等，确保系统在各种异常工况下安全可靠运行。SRM2264LC12采用SOT-23-6L小型封装，节省PCB空间，适用于高密度电源设计。其工作频率可支持高达500kHz，兼容主流的PWM主控芯片，广泛应用于65W以内的快充适配器、USB PD电源、笔记本电脑适配器、智能家居电源模块等领域。
型号：SRM2264LC12
品牌：Silan（士兰微）
封装：SOT-23-6L
工作电压范围：7V ~ 100V
启动电流：< 5μA
静态电流：< 1.2mA
最大驱动能力：1.5A（源/灌）
开关频率支持：≤ 500kHz
导通延迟时间：典型值80ns
关断延迟时间：典型值60ns
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
结温范围：-40°C ~ +150°C
栅极驱动电压：约12V（内部稳压）
SRM2264LC12具备卓越的自适应同步整流控制能力，采用高端浮动电源架构，能够在反激式变换器的次级侧实现精准的导通与关断时序判断。其核心控制逻辑通过检测同步整流MOSFET的漏源电压（VDS）来判断变压器去磁状态，当VDS下降至预设阈值时立即开启SR MOSFET，实现零电压或近似零电压导通，显著降低导通损耗。同时，在电流即将反向时迅速关断MOSFET，避免反向电流造成能量浪费，从而大幅提升整体电源效率，尤其是在轻载和满载条件下均能保持高效运行。
该芯片内置高压JFET启动电路，可在无需外部偏置绕组的情况下完成初始供电，简化了变压器设计并降低了系统成本。此外，其低至5μA的启动电流极大减少了启动阶段的功耗，有助于满足国际能效标准（如CoC Tier 2、DoE Level VI）。内部集成的12V稳压器为栅极驱动提供稳定电压，确保MOSFET完全导通，降低Rdson带来的损耗。
SRM2264LC12还具备多重保护机制。当芯片温度超过设定阈值时，过温保护（OTP）功能将自动关闭输出，防止热失控；欠压锁定（UVLO）确保芯片在供电电压不稳定时不误动作；同时具备对VCC引脚的过压钳位能力，增强系统鲁棒性。芯片采用电流模式驱动，具有较强的抗噪声干扰能力，即使在高dv/dt环境下也能稳定工作。SOT-23-6L封装不仅体积小巧，而且引脚布局优化，便于PCB布线和散热设计，适合自动化贴装生产。
SRM2264LC12广泛应用于各类中低功率AC-DC电源系统中，特别适用于追求高能效和小型化的现代电源产品。典型应用场景包括手机、平板和笔记本电脑的快速充电适配器，尤其是支持USB PD和QC协议的多口快充设备，能够有效提升次级侧整流效率，降低发热，提高功率密度。此外，它也常用于智能电视、显示器、路由器、机顶盒等消费类电子产品内置电源模块中，帮助系统通过严格的能效认证。
在工业领域，SRM2264LC12可用于工业传感器、PLC辅助电源、LED驱动电源等对可靠性要求较高的场合。由于其良好的动态响应能力和宽温工作范围，即便在恶劣环境条件下也能稳定运行。对于需要无风扇设计或自然冷却的封闭式电源系统，该芯片的高效特性可显著降低热负荷，延长产品寿命。同时，其兼容性强，可与多种主控PWM芯片（如OB2263、LD7575、TNY系列等）协同工作，适用于QR（准谐振）、CCM（连续导通模式）和DCM（非连续导通模式）等多种反激控制模式，具备良好的系统适配性和设计灵活性。
SRM2263
SY58021
