时间：2025/12/25 15:29:03
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SRM2016M10是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，主要应用于小功率开关电源、LED驱动电源、适配器等高效率、小体积的电力转换场合。该器件采用先进的平面工艺设计，结合了高压与大电流处理能力，并具备良好的热稳定性和可靠性，适用于需要紧凑布局和高效能转换的现代电子设备。SRM2016M10具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够在中低电压工作条件下实现较小的导通损耗，从而提高整体系统效率。其封装形式为SOT-23或类似的微型表面贴装封装，便于在高密度PCB上进行自动化焊接和组装。
该MOSFET的栅极阈值电压适中，能够兼容常见的PWM控制芯片驱动信号，适合用于DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关等应用场景。此外，SRM2016M10还具备优良的抗雪崩能力和较高的击穿电压，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提升了系统的安全裕度。由于其高性能和小尺寸特性，广泛用于便携式电子产品、智能家电控制模块及物联网终端设备中的电源管理单元。
型号：SRM2016M10
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)@25℃：6A
脉冲漏极电流(IDM)：24A
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：10mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：13mΩ
栅极电荷(Qg)：8nC
输入电容(Ciss)：470pF
开启延迟时间(td(on))：10ns
关断延迟时间(td(off))：12ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOT-23
SRM2016M10具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与快速开关响应的结合，使其成为高效能电源管理系统中的理想选择。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为10mΩ，在同类产品中处于领先水平，这意味着在相同的工作电流下，其导通损耗显著低于传统MOSFET，有效降低了温升并提高了能源利用效率。这种低阻特性特别适用于电池供电设备和对功耗敏感的应用场景，有助于延长续航时间。
该MOSFET采用了优化的晶圆制造工艺，确保了批次间参数的一致性与长期使用的可靠性。其较小的输入电容（Ciss=470pF）和低栅极电荷（Qg=8nC）使得驱动电路所需的功率极低，可以使用低成本的驱动IC甚至微控制器直接驱动，简化了外围电路设计。同时，快速的开关时间（开启延迟约10ns，关断延迟约12ns）支持高频PWM调制，适用于高达数百kHz的开关频率应用，如同步降压变换器和半桥拓扑结构。
在安全性方面，SRM2016M10具备较强的抗静电放电（ESD）能力和一定的雪崩能量承受能力，能够在异常工况下提供基本保护。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应恶劣环境下的运行需求。SOT-23封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，配合合理的布板设计可实现有效的热量传导。总体而言，SRM2016M10是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的先进功率MOSFET器件。
SRM2016M10广泛应用于各类中小功率电源转换系统中，典型用途包括移动设备充电器、USB PD电源模块、LED恒流驱动电路、DC-DC同步整流器、电机驱动H桥低端开关、热插拔电源管理以及各种便携式消费类电子产品中的负载开关控制。在同步整流应用中，它可替代传统的肖特基二极管以降低正向压降和功耗，提升转换效率；在电池管理系统中，可用于充放电通路的通断控制，实现精确的电源隔离与保护功能。此外，该器件也常见于智能家居控制器、无线传感器节点和工业自动化仪表等对空间和能耗有严格要求的嵌入式系统中。凭借其优异的动态响应特性和稳定的静态参数表现，SRM2016M10已成为许多工程师在设计高效、紧凑型电源方案时的首选元件之一。
SI2302,DMG2302U,MCH3016
