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SRM20100LLM10-TL 发布时间 时间:2025/12/25 17:33:07 查看 阅读:9

SRM20100LLM10-TL是一款由SILAN(士兰微电子)生产的高性能、高可靠性肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD),采用先进的平面工艺制造,专为高频开关电源、DC-DC转换器、续流与极性保护等应用设计。该器件封装于紧凑的SOD-123FL小型表面贴装封装中,具有低正向压降和快速反向恢复特性,适用于对空间和能效要求较高的便携式电子产品及高密度电路板布局场景。其额定平均整流电流为1A,最大重复峰值反向电压可达100V,能够在恶劣工作环境下保持稳定性能。产品符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,适合自动化回流焊工艺。SRM20100LLM10-TL广泛应用于消费类电子、通信设备、电源适配器、LED驱动电源以及各类工业控制模块中,提供高效的整流解决方案。

参数

型号:SRM20100LLM10-TL
  类型:肖特基势垒二极管
  封装/包装:SOD-123FL
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大直流阻断电压(VR):100V
  最大有效值电压(VRMS):70V
  最大平均整流电流(IO):1A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向压降(VF)@ 1A:0.95V
  最大反向漏电流(IR)@ 100V, 25℃:400μA
  反向恢复时间(trr):典型值5ns
  工作结温范围(TJ):-55℃ ~ +125℃
  存储温度范围(TSTG):-55℃ ~ +150℃

特性

SRM20100LLM10-TL的核心优势在于其基于肖特基势垒原理设计的金属-半导体接触结构,这种结构显著降低了传统PN结二极管中存在的少数载流子储存效应,从而实现了极短的反向恢复时间(trr 典型值仅为5ns)。这一特性使其在高频开关电路中表现出色,能够有效减少开关损耗并抑制电压尖峰,提升系统整体效率与电磁兼容性(EMC)表现。此外,该器件的最大正向压降在1A电流下不超过0.95V,远低于普通整流二极管(通常为1.0V以上),这意味着更低的导通损耗和更高的能量转换效率,特别适合用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场合。
  该器件具备良好的热稳定性与长期可靠性,在-55℃至+125℃的工作结温范围内仍能维持稳定的电气性能,适应从极寒到高温的各种严苛环境条件。其SOD-123FL封装尺寸小巧(约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm),便于实现高密度PCB布局,并支持全自动贴片生产线作业,提升了生产效率与一致性。产品通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和温度循环试验,确保在长时间运行中的安全性和耐用性。同时,由于其低漏电流特性(最大400μA @ 100V),在待机或轻载状态下也能保持较低的静态功耗,有助于满足现代节能标准的要求。

应用

SRM20100LLM10-TL广泛应用于多种电力电子系统中,尤其适用于需要高效、快速响应的低压直流电源管理领域。常见应用场景包括AC-DC开关电源中的次级侧整流环节、DC-DC降压/升压转换器中的续流与飞轮二极管功能、太阳能充电控制器中的防反接保护、锂电池充放电管理电路中的隔离元件、以及各类嵌入式系统的电源轨保护电路。此外,它还被大量使用于USB供电设备、移动电源、智能电表、路由器、网络摄像头、智能家居控制板等消费类与工业类电子产品中。得益于其优异的高频特性与小型化封装,该器件也常用于便携式医疗设备、可穿戴装置和物联网终端节点中,作为关键的功率整流单元。在LED照明驱动方案中,SRM20100LLM10-TL可用于防止电流倒灌,提高光源稳定性。其高浪涌电流承受能力(30A)也使其能在瞬态过流条件下提供一定的鲁棒性保障,增强系统抗干扰能力。

替代型号

SS14
  SB1100
  MBR140
  1N5819WS

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