SRM20100LC85 时间：2025/12/25 15:48:03 阅读：17

SRM20100LC85是一款由United Silicon Carbide (UnitedSiC) 公司推出的高性能硅 carbide (SiC) MOSFET功率晶体管，专为高效率、高频开关电源应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术，结合了SiC材料的优越物理特性与优化的器件结构，实现了极低的导通电阻和开关损耗，适用于诸如太阳能逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动以及服务器电源等要求严苛的应用场景。SRM20100LC85的额定电压为1200V，典型导通电阻RDS(on)在室温下低至100mΩ，能够显著降低传导损耗，提高系统整体能效。其封装形式为行业标准的SMD-8（也称LGA-8或Power Dual-Flat No-Lead）封装，具备优良的热性能和电流承载能力，便于实现紧凑型高功率密度设计。此外，该器件还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受时间，提升了系统的可靠性和鲁棒性。得益于其快速的开关速度，SRM20100LC85可在数十kHz至数百kHz的开关频率下高效运行，从而减小磁性元件和电容的体积，进一步缩小终端产品的尺寸。为了确保安全可靠的栅极驱动，建议使用负压关断（如-4V至-6V）以防止寄生导通，并配合专用的隔离式栅极驱动器进行控制。总体而言，SRM20100LC85是替代传统硅基IGBT和超级结MOSFET的理想选择，尤其适合追求更高效率、更高功率密度和更低系统成本的现代电力电子系统。

参数

型号：SRM20100LC85
　　制造商：United Silicon Carbide (UnitedSiC)
　　器件类型：N沟道 SiC MOSFET
　　漏源击穿电压 (BVDSS)：1200 V
　　导通电阻 RDS(on)：100 mΩ（典型值，@ ID = 28 A, VGS = 20 V）
　　连续漏极电流 ID (@TC=25°C)：70 A
　　脉冲漏极电流 IDM：280 A
　　栅极阈值电压 VGS(th)：3.5 V（典型值）
　　输入电容 Ciss：4900 pF（@ VDS = 600 V）
　　输出电容 Coss：890 pF（@ VDS = 600 V）
　　反向恢复电荷 Qrr：0 C（体二极管无反向恢复电荷）
　　最大工作结温 TJ(max)：175 °C
　　封装类型：SMD-8 (LGA-8)

特性

SRM20100LC85所采用的碳化硅材料赋予其卓越的电气性能，使其在高温、高压和高频工作条件下仍能保持稳定高效的运行表现。首先，由于碳化硅具有比硅更高的临界电场强度，该器件能够在1200V的高阻断电压下实现极低的导通电阻，大幅降低了导通损耗，这对于提升大功率变换器的效率至关重要。其次，SiC MOSFET的开关速度远快于传统的硅基IGBT或超结MOSFET，SRM20100LC85在开通和关断过程中表现出极短的延迟时间和上升/下降时间，从而显著减少开关过程中的能量损耗，尤其是在高频操作中优势更为明显。这种快速开关能力不仅提高了转换效率，还允许使用更小的滤波电感和电容，有助于实现系统的小型化和轻量化。
　　另一个关键特性是其体二极管的优异表现。不同于硅MOSFET中存在大量反向恢复电荷的PN结体二极管，SRM20100LC85的体二极管虽然仍为PN结构，但由于碳化硅材料的载流子寿命极短，其反向恢复电荷Qrr几乎可以忽略不计，极大地减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性。此外，该器件具备良好的热稳定性，可在高达175°C的结温下持续工作，配合有效的散热设计可支持高功率密度应用。SMD-8封装提供了低电感、高电流传输能力的连接方式，有利于减少功率回路中的寄生电感，抑制电压过冲和振荡问题。同时，该封装支持自动化贴装工艺，适用于大规模生产环境。最后，SRM20100LC85对栅极驱动的要求相对明确，推荐使用+20V开通和负压关断（如-4V）的驱动方案，以充分发挥其性能并避免因dV/dt引起的误触发，确保系统安全可靠运行。

应用

SRM20100LC85广泛应用于各类需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。在可再生能源领域，它被用于光伏（PV）逆变器中的DC-AC转换级，利用其低损耗特性最大化太阳能发电系统的能量转化效率，特别是在组串式和微型逆变器中具有显著优势。在电动汽车基础设施方面，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的PFC（功率因数校正）及DC-DC转换模块，支持双向能量流动和高功率密度设计，满足EV市场对充电速度和空间利用率的需求。在工业电源系统中，SRM20100LC85可用于UPS不间断电源、伺服驱动器和工业变频器等设备，提供稳定的功率输出和高效的能量管理。此外，在数据中心和通信电源领域，该器件可用于服务器电源（如48V转12V中间母线转换器）和高密度AC-DC整流装置，帮助降低运营能耗并提升能源使用效率（PUE）。其出色的高温工作能力也使其适用于恶劣环境下的军用或轨道交通电源系统。总之，凡是需要替代传统硅基IGBT或高性能超结MOSFET以实现更高效率和更高开关频率的应用场景，SRM20100LC85都是一个极具竞争力的选择。