SRK7002LT1H 时间：2025/8/13 15:11:32 阅读：24

SRK7002LT1H是一款由Microchip Technology生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用TSSOP封装。该器件适用于高效率电源转换器、负载开关和电机控制等应用。SRK7002LT1H集成了两个独立的MOSFET，允许设计人员在单个封装中实现双向开关或同步整流功能，从而提高电路设计的灵活性和效率。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　漏极电流(Id)：4A（单通道）
　　导通电阻(Rds(on))：80mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电压(Vgs)：-20V ~ +20V
　　功耗(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP

特性

SRK7002LT1H MOSFET具有低导通电阻特性，能够在低电压条件下实现高效的功率传输。该器件的双N沟道结构允许其在同步整流拓扑中作为高侧和低侧开关使用，有助于减少外部元件数量并提高系统效率。
　　此外，SRK7002LT1H具备高耐压能力，漏极-源极电压最大可达30V，适用于多种中低功率电源转换应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V之间的逻辑电平控制，便于与各种控制器和驱动器配合使用。
　　该器件的封装采用TSSOP设计，具有良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型PCB布局中使用。SRK7002LT1H还具有较高的可靠性和稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能表现。

应用

SRK7002LT1H广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及电源管理模块。由于其双MOSFET集成设计，该器件特别适用于需要双向控制或同步整流的电源系统，例如USB PD电源适配器、移动电源、LED驱动电路以及工业自动化控制系统。
　　在同步整流应用中，SRK7002LT1H可以有效降低功率损耗，提高整体转换效率。而在负载开关电路中，该器件能够提供快速的开关响应和低静态电流，有助于延长电池寿命并提高系统能效。
　　此外，该MOSFET还可用于构建H桥电机驱动电路，实现电机的正反转控制和制动功能。其高可靠性和宽温度范围使其成为汽车电子、便携式设备和工业控制设备的理想选择。