时间：2025/9/3 1:45:26
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SRFE1126是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的射频（RF）功率场效应晶体管（FET），专为高频、高功率放大器应用设计。这款晶体管采用了先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供了高效率、高增益和优异的热稳定性，适用于广播、通信基础设施、工业加热和医疗设备等领域。SRFE1126能够在很宽的频率范围内工作，并具有良好的线性度和稳定性，是高性能射频系统设计的理想选择之一。
类型：LDMOS FET
最大漏极电流（ID(max)）：30 A
最大漏-源电压（VDS(max)）：65 V
工作频率范围：1 MHz 至 250 MHz
输出功率（Pout）：典型值为 200 W（在225 MHz时）
增益：23 dB（典型值）
效率：70% 以上
封装形式：ABF（TO-247兼容的射频封装）
SRFE1126射频功率FET具有多项优越特性，首先是其高输出功率能力，能够在低至中等频率范围内提供高达200W的输出功率，适用于广播和通信系统中的高功率放大器。其次，该器件采用LDMOS技术，具备高效率和良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，并具有较长的使用寿命。
此外，SRFE1126具有宽频率响应范围，从1 MHz到250 MHz，适用于多种射频应用，包括FM广播、电视发射机和工业射频加热设备。其高增益（约23 dB）和出色的线性度使其在高保真放大系统中表现出色，有助于减少失真并提高信号质量。
该器件还具备良好的抗失真能力，在高功率工作条件下仍能保持稳定的性能，同时具备较高的抗静电能力和过热保护能力。封装方面，SRFE1126采用ABF封装形式，便于安装和散热，适用于高密度PCB布局和模块化设计。
SRFE1126广泛应用于各类高功率射频系统中，包括FM广播发射机、数字电视发射机、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备以及无线通信基础设施等。由于其高效率和高可靠性，SRFE1126也适用于需要高功率输出和良好线性度的多载波放大器和宽带放大器设计。此外，该器件还可用于测试设备、功率放大器模块以及射频能量应用中，满足不同行业对高功率射频解决方案的需求。
STRFET12N65M5, SRFE1127, SRFE1128, MRF151G, MRF154
