类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-7.5A（@25℃）
　　功耗（PD）：3.1W
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（@VGS=-10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

SRF7065SR3 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。在高电流应用中，这种低 RDS(on) 特性尤为重要，因为它可以减少热量生成，提高器件的热稳定性。该 MOSFET 使用先进的沟槽式结构技术，优化了电场分布，从而提高了器件的击穿电压稳定性和开关性能。
　　此外，SRF7065SR3 采用了 TO-263 封装，这是一种表面贴装封装形式，适合自动化装配流程，同时具有良好的热管理能力，有助于器件在高功率应用中的稳定运行。其最大漏源电压为 -60V，适用于中等电压功率控制场合，如电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关以及各种电源管理电路。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，但在实际应用中通常在 -10V 时即可实现良好的导通性能。其连续漏极电流为 -7.5A，足以满足大多数中功率应用的需求。工作温度范围覆盖 -55℃ 至 150℃，确保其在恶劣环境下也能稳定运行。

SRF7065SR3 适用于多种电源管理与功率控制应用。其中，常见的应用包括负载开关、电池管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高效率的特性，该 MOSFET 在节能型电源系统中表现出色，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的电源管理模块。
　　在工业控制系统中，SRF7065SR3 可用于构建高效率的直流电机驱动电路和继电器替代方案，以提高系统的可靠性和能效。此外，该器件也适用于汽车电子系统中的电源分配和负载控制，例如车载充电器、电动窗控制系统和车载信息娱乐系统等。
　　由于其封装形式适合表面贴装工艺，SRF7065SR3 也广泛用于高密度 PCB 设计中，适用于自动化生产流程，提高生产效率和产品一致性。

Si4435BDY, IRF7409, FDS6680, SIR436DP