类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：60 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
　　最大连续漏极电流 (Id)：70 A
　　导通电阻 (Rds(on))：7.6 mΩ @ Vgs = 10 V
　　功率耗散 (Pd)：140 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

SRF6007 MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗和发热。其先进的沟槽技术确保了高效的载流能力和出色的热稳定性。
　　此外，该器件具有较高的最大漏源电压（60V），适用于各种中高功率应用。其最大连续漏极电流为70A，能够在高负载情况下保持稳定运行。
　　SRF6007 采用 TO-263 封装，适合表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性，并具有良好的散热性能。这种封装形式也有助于实现更高的功率密度和更小的电路板尺寸。
　　该 MOSFET 还具备较高的栅源电压耐受能力（±20V），确保在各种控制电路中的稳定性和可靠性。其较高的功率耗散能力（140W）使得器件在高功率条件下仍能保持良好的性能。

SRF6007 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理系统以及负载开关等场景。在电源管理应用中，由于其低导通电阻和高电流能力，能够有效提升系统效率并减少热量产生。
　　此外，该器件适用于各种电池供电设备，如电动工具、无人机、储能系统以及工业自动化设备等。在这些应用中，SRF6007 提供了高效、可靠的功率开关解决方案。
　　在汽车电子领域，SRF6007 也可用于车载充电器、车身控制系统和电机控制模块。其高耐压能力和稳定的电气特性使其能够在严苛的工作环境中保持优异的性能。

Si7384BDP, IRF6707A, SQJQ60EP07