类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：110 A（@25°C）
　　导通电阻 RDS(on)：3.4 mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1 V（@25°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

SRF3491P MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在高频开关应用中表现出色，具备较短的开关时间（如上升时间和下降时间），适用于高频率 DC-DC 转换器和同步整流器设计。
　　其封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。该封装支持表面贴装技术，便于自动化生产并提高组装效率。
　　此外，SRF3491P 具有较强的热稳定性和耐久性，在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于工业控制、电源管理系统、汽车电子和电机驱动等对可靠性要求较高的场合。该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的耐用性。
　　SRF3491P 的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 20V），便于与各种驱动电路配合使用。同时，其低阈值电压特性使得在较低的控制电压下也能实现良好的导通状态，提高了设计的灵活性。

SRF3491P 主要用于需要高效能功率开关的电子系统中，常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统、电机控制电路、电池供电设备以及汽车电子系统等。
　　在同步整流器和 DC-DC 转换器中，SRF3491P 以其低导通电阻和快速开关特性，有效降低导通损耗和开关损耗，提升整体转换效率。其高电流能力也使其适用于大功率输出的电源模块。
　　在负载开关和电源管理系统中，SRF3491P 可用于控制电源路径切换和负载分配，实现高效的电能管理。在电池供电设备中，该器件有助于延长电池续航时间。
　　由于其良好的热性能和可靠性，SRF3491P 也广泛应用于工业控制设备、自动化系统以及电机驱动器中，作为功率开关元件使用。

SiS6286N-T1-GE3, SQJQ134EP-T1_GE3, BSC090N03MS G