SRF3417是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力,适用于如DC-DC转换器、电源管理、电机控制和负载开关等多种应用场景。SRF3417封装在小型DFN(双扁平无引脚)封装中,具有良好的热性能和空间利用率,适合现代电子设备对高密度和小型化的需求。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):17A(在VGS = 10V)
导通电阻(RDS(on)):典型值为7.5mΩ(在VGS = 10V)
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:DFN 5x6
SRF3417具有多个显著的技术特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件支持高电流承载能力,能够在高负载条件下稳定运行。此外,SRF3417采用了先进的沟槽栅技术,提供优异的开关性能,减少了开关损耗,并提高了系统的响应速度。该器件还具有良好的热稳定性,DFN封装具有出色的热管理能力,有助于将热量快速散发,确保长时间运行的可靠性。此外,SRF3417的栅极驱动电压范围较宽,支持与多种控制器和驱动器的兼容性,适用于各种功率管理电路。
SRF3417广泛应用于多个领域,包括但不限于以下几种典型应用:电源管理模块中的同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、电池管理系统中的负载开关、电机驱动和电源逆变器、以及工业自动化和汽车电子中的功率控制单元。此外,该器件也常用于高效率LED驱动、电源适配器和便携式设备的电源管理电路中。由于其小型封装和高热效率,SRF3417非常适合空间受限和高密度设计的应用场景。
SiSS17DN, FDS4410, SIR341DP, IPD341N