SRF3417 时间：2025/9/3 15:39:53 阅读：30

SRF3417是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于如DC-DC转换器、电源管理、电机控制和负载开关等多种应用场景。SRF3417封装在小型DFN（双扁平无引脚）封装中，具有良好的热性能和空间利用率，适合现代电子设备对高密度和小型化的需求。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：17A（在VGS = 10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（在VGS = 10V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN 5x6

特性

SRF3417具有多个显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。此外，SRF3417采用了先进的沟槽栅技术，提供优异的开关性能，减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。该器件还具有良好的热稳定性，DFN封装具有出色的热管理能力，有助于将热量快速散发，确保长时间运行的可靠性。此外，SRF3417的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制器和驱动器的兼容性，适用于各种功率管理电路。

应用

SRF3417广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种典型应用：电源管理模块中的同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、电池管理系统中的负载开关、电机驱动和电源逆变器、以及工业自动化和汽车电子中的功率控制单元。此外，该器件也常用于高效率LED驱动、电源适配器和便携式设备的电源管理电路中。由于其小型封装和高热效率，SRF3417非常适合空间受限和高密度设计的应用场景。