SRA2203S 是一款由 Sanken(三垦)公司制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效、高可靠性的电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。这款晶体管具有低导通电阻 (Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高整体效率。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id):120A
最大漏源电压 (Vds):30V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
导通电阻 Rds(on):1.7mΩ @ Vgs=10V
功耗 (Pd):250W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
SRA2203S 的主要特性包括其极低的导通电阻,这显著减少了在高电流条件下由于电阻产生的功率损耗,并降低了发热效应。
此外,该器件采用了先进的沟槽式结构技术,进一步优化了导通性能和开关速度,从而提高了系统效率。
其高耐压能力和大额定电流使 SRA2203S 能够适应高负载条件下的苛刻应用场景。
该器件还具备良好的热稳定性,在高温环境下依然可以保持稳定的工作状态,确保长期可靠性。
封装方面,SRA2203S 采用 TO-263(D2PAK)封装形式,具备优良的散热性能,适合表面贴装工艺,便于在紧凑型设计中使用。
另外,SRA2203S 还集成了内部保护功能,如防静电和过热保护,进一步增强了其在工业级环境中的适用性。
SRA2203S 常用于各种高性能功率电子系统中,其中包括但不限于:
1. 高效同步整流降压/升压 DC-DC 转换器,适用于服务器电源、电信设备及嵌入式系统;
2. 电机控制器或 H 桥电路,用于机器人、电动车和工业自动化设备中的动力控制系统;
3. 负载开关和电池管理系统(BMS),广泛应用于便携式电子设备和储能系统中;
4. 高频逆变器和 UPS(不间断电源)系统,以提升能源转换效率并降低发热量;
5. 太阳能逆变器和充电控制器等绿色能源相关应用中,确保系统的高转换效率与可靠性。
SiR182DP, IRF182SPbF, FDS6680, IPB013N03LA