类型: NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　最大集电极电流（IC）: 100mA
　　最大功耗（PD）: 300mW
　　最大工作频率（fT）: 100MHz
　　电流增益（hFE）: 110-800（根据不同的工作条件）
　　封装类型: SOT-23
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C

SR26E T/R 拥有优异的高频性能，使其适用于射频和高速开关应用。其高频特性得益于晶体管的内部结构设计，能够有效降低寄生电容并提高信号传输速度。
　　该晶体管具备多种电流增益等级（hFE），用户可以根据具体的应用需求选择合适的增益范围，从而优化电路性能。例如，在低噪声放大器中，选择高增益等级可以提高放大倍数，而在开关应用中，选择较低增益等级可能更有利于稳定性和响应速度。
　　此外，SR26E T/R 的封装形式为 SOT-23，这是一种小型化的表面贴装封装，非常适合在高密度 PCB 设计中使用。由于其紧凑的尺寸和良好的热性能，SR26E T/R 在便携式电子产品和高频通信设备中得到了广泛应用。
　　该晶体管还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的工作性能。其最大工作温度可达 +150°C，适合在一些苛刻的工作环境中使用。

SR26E T/R 主要应用于射频（RF）放大器、低噪声放大器、高速开关电路、音频放大器以及通用模拟电路。在射频应用中，该晶体管可以用于信号放大和混频器电路，提供良好的高频响应和低噪声性能。
　　在音频放大器设计中，SR26E T/R 可以作为前置放大器或驱动级放大器使用，提供较高的增益和较低的失真。此外，由于其良好的高频特性，SR26E T/R 还常用于数字电路中的高速开关应用，例如逻辑门电路和缓冲器电路。
　　该晶体管也适用于一些工业控制系统和测试测量设备，尤其是在需要高频响应和低噪声性能的场合。例如，在射频测试设备中，SR26E T/R 可以作为信号放大器，提高测量的精度和稳定性。

BC547, 2N3904, PN2222A