型号：SR23Q
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管极性：P沟道
　　连续漏极电流（ID）：-2.3A（@VGS = -10V）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-30V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@VGS = -10V），95mΩ（@VGS = -4.5V）
　　最大功耗（PD）：1W（@TA=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：380pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：7nC（@VGS=-10V）

SR23Q作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项关键特性，使其在现代低功耗和高效率电子系统中占据重要地位。首先，其采用SOT-23封装，体积小巧，适用于对空间要求极为严格的便携式设备如智能手机、可穿戴设备和平板电脑等。这种表面贴装封装不仅节省PCB面积，还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现可靠的功率切换。
　　其次，SR23Q的导通电阻非常低，在VGS = -10V条件下典型值仅为65mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。对于电池供电系统而言，这意味着更长的续航时间和更低的发热水平。同时，在VGS = -4.5V时仍能保持95mΩ以下的RDS(on)，表明其在中等栅极驱动电压下依然具备良好性能，适合由低压逻辑信号直接驱动。
　　第三，该器件的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了在低电压控制系统中的可靠关断与开启。这一特性使得SR23Q可以轻松集成到以3.3V或甚至1.8V为核心的嵌入式系统中，通过简单的电平转换或上拉/下拉配置即可实现精确控制。
　　此外，SR23Q具有较高的漏源击穿电压（-30V），为其在多种电源电压环境下的安全运行提供了保障。无论是用于12V系统还是24V工业控制模块，该器件都能提供足够的电压裕量，避免因瞬态过压导致的损坏。结合其高达150°C的最大结温，SR23Q可在高温环境下稳定工作，增强了系统的鲁棒性和可靠性。
　　最后，SR23Q具备优良的开关特性，包括较低的输入电容和栅极电荷，有助于减少开关延迟和动态损耗，提升高频开关应用中的响应速度和效率。这些综合优势使其成为替代传统机械继电器或双极型晶体管的理想选择，特别是在需要快速响应和长寿命的自动化控制和电源管理领域。

SR23Q广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。一个典型的应用是在电源反接保护电路中，利用其P沟道特性连接在电源正极与负载之间，当电源极性正确时，MOSFET导通，电流顺利通过；而一旦发生反向连接，MOSFET自动截止，从而有效防止后级电路受损。这种方式相比二极管防反接方案具有更低的压降和更高的效率，特别适用于大电流或低电压系统。
　　在负载开关设计中，SR23Q可用于控制不同子系统的供电通断，例如显示屏背光、无线模块或传感器电源的启用与关闭。通过微控制器输出GPIO信号控制栅极电平，可实现精确的电源管理，延长电池使用寿命。此外，它还可用于多电源路径选择电路，实现主备电源之间的无缝切换。
　　在DC-DC转换器拓扑中，SR23Q常作为同步整流器或高端开关元件使用，尤其是在降压（Buck）变换器中负责周期性地将输入电压耦合到电感上。其低RDS(on)和快速开关能力有助于提高转换效率并减少热量积累。
　　其他应用场景还包括LED恒流驱动、电机驱动中的H桥低端开关、USB端口电源控制以及各种消费类电子产品中的电源门控功能。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，SR23Q也适用于工业控制、汽车电子外围模块及通信设备中的信号与功率切换任务。

Si2367DDS-T1-E3
　　AON7408
　　FDD9410S