SR150L-6S 时间：2025/9/29 9:22:21 阅读：10

SR150L-6S是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽型技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。SR150L-6S的设计旨在提供优异的性能与可靠性，适用于中等功率级别的电子设备中。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在印刷电路板上安装，并具备良好的散热能力，适合高密度布局的应用场景。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。由于其出色的电气特性和稳定的制造工艺，SR150L-6S已成为许多工业控制、消费类电子及电源管理系统中的优选器件之一。

参数

型号：SR150L-6S
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：150A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：600A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值7.5mΩ（@VGS=10V, ID=75A）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约10000pF（@VDS=30V, VGS=0V）
　　输出电容(Coss)：约2800pF
　　反向恢复时间(trr)：约35ns
　　二极管正向电压(VSD)：1.2V（@IS=150A）
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

SR150L-6S采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构能够在保持较高击穿电压的同时显著降低导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为7.5mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，尤其是在同步整流和电池管理系统中能够有效降低温升，提升整体能效。
　　该MOSFET具有快速的开关特性，其输入电容和输出电容经过优化设计，在高频开关环境下仍能保持较低的驱动损耗和较高的响应速度。这对于现代高频率工作的DC-DC变换器和开关电源尤为重要，有助于减小外围滤波元件的体积，提升功率密度。同时，SR150L-6S具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过压或短路情况下维持一定时间的安全运行，增强了系统的鲁棒性。
　　热性能方面，TO-252封装提供了良好的热传导路径，结合内部芯片布局优化，使器件在持续大电流工作条件下也能维持较低的结温上升。此外，该器件的栅极氧化层经过特殊处理，具备较高的栅源电压耐受能力（±20V），有效防止因驱动信号异常导致的栅极击穿问题。综合来看，SR150L-6S不仅在静态和动态电气参数上表现优异，而且在长期可靠性和环境适应性方面也达到了工业级标准，适用于各种严苛应用场景。

应用

SR150L-6S因其高电流承载能力和低导通电阻，被广泛应用于多种电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于初级侧或次级侧的主开关管或同步整流管，特别是在大功率适配器、服务器电源和通信电源中发挥关键作用。其快速的开关响应能力使其适用于高频PWM控制电路，帮助实现更高的转换效率和更紧凑的系统设计。
　　在直流电机驱动系统中，SR150L-6S可用于H桥拓扑结构中的上下桥臂开关，控制电机的正反转及调速。由于其能够承受高达150A的连续电流和600A的脉冲电流，因此非常适合用于电动工具、电动车控制器、工业自动化设备等需要大扭矩启动和频繁启停的场合。此外，在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可作为充放电控制开关使用，确保锂电池组在安全范围内运行。
　　其他典型应用还包括UPS不间断电源、太阳能逆变器、LED恒流驱动电源以及各类DC-DC升压/降压模块。在这些应用中，SR150L-6S不仅能提供高效的能量转换路径，还能通过其优良的热稳定性和抗干扰能力保障系统长时间稳定运行。由于其封装小巧且易于焊接，也适合自动化生产线的大规模装配需求。