型号：SR146
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-400mA（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.7Ω（@VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.0Ω（@VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：约120pF（@VDS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功耗（PD）：300mW

SR146 P沟道MOSFET具备出色的电气特性和稳定性，特别适合用于低电压、低功耗的开关应用。其核心优势之一是具备较低的导通电阻（RDS(on)），在-10V栅源电压下可低至0.7Ω，而在更常见的-4.5V驱动条件下仍能保持在1.0Ω以下，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这种低RDS(on)特性使其在电池供电设备中尤为重要，有助于延长设备的续航时间。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，表明它可以在相对较低的栅极电压下开启，因此能够兼容3.3V甚至更低的逻辑电平控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，SR146具有较快的开关速度，得益于其较小的输入电容（Ciss约为120pF），能够在高频开关应用中表现出良好的动态响应，适用于DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。
　　在可靠性方面，SR146采用了稳健的制造工艺，具备良好的热稳定性和长期工作可靠性。其最大结温可达+150°C，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级应用。此外，器件内部具备一定的ESD保护能力，能够承受一定程度的静电放电冲击，提升了在实际生产与使用过程中的安全性。SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，符合现代电子产品小型化、高密度集成的趋势。

SR146广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和电池反接保护电路，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中用于控制电源通断的负载开关。在这些应用中，SR146可以作为高端开关使用，通过微控制器的GPIO直接驱动，实现对后级电路的上电和断电控制，有效降低待机功耗。
　　此外，该器件也常用于DC-DC降压变换器中的同步整流部分，尤其是在非隔离式Buck电路中作为上管使用，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。在多电源轨系统中，SR146可用于电源路径管理，实现不同电源之间的自动切换或优先级选择，确保系统始终由最优电源供电。
　　工业控制领域中，SR146可用于驱动继电器、LED指示灯或小功率传感器模块的开关控制。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可应用于汽车电子中的低功耗控制单元，如车用仪表盘、车载信息娱乐系统的电源管理模块。在通信设备中，它可用于隔离不同功能模块的供电，防止故障扩散，提升系统整体可靠性。总之，凡是在低压、小电流条件下需要实现高效开关控制的场合，SR146都是一个可靠且经济的选择。

SI2301, AOD403, FDN302P, MC798P, BSS84