时间：2025/6/25 13:38:33
阅读：7
SQR40N10-25-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。其设计旨在提供高效率和可靠性，适合在高压条件下工作。
该型号的额定电压为 100V，持续漏极电流高达 40A（在特定条件下），具备低导通电阻特性以减少功率损耗。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：40A
导通电阻：7.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：180W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263
SQR40N10-25-GE3 具备以下显著特性：
1. 高效的导通性能，具有较低的导通电阻，可降低功率损耗。
2. 强大的电流承载能力，支持高达 40A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，有助于提高系统效率并减少开关损耗。
4. 稳定的工作温度范围，适用于恶劣环境下的应用。
5. 良好的热性能，有助于散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 通信电源和电池管理系统。
5. 逆变器和 UPS 系统。
由于其出色的电气特性和封装优势，SQR40N10-25-GE3 成为众多高功率应用的理想选择。
SQR40N10-25-GE
SQR40N10L-25-E3
IRFZ44N
