SQJA82EP-T1_GE3 时间：2025/4/23 14:39:54 阅读：3

SQJA82EP-T1_GE3 是一款高性能的工业级电子元器件，属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列。该型号广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域，能够提供高效率和低功耗的解决方案。其封装形式为 TO-252，具有良好的散热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：47A
　　栅极阈值电压：2.5V~4.5V
　　导通电阻：2.5mΩ
　　工作温度范围：-55℃~175℃
　　封装形式：TO-252

特性

1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
　　2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
　　3. 快速开关速度，降低开关损耗并提高系统效率。
　　4. 优异的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
　　6. 提供强大的 ESD（静电放电）保护功能，增强器件的抗干扰能力。

应用

1. 可再生能源系统中的逆变器和转换器设计。

　　2. 工业电机驱动和控制。

　　3. 汽车电子中的负载切换和保护。
　　4. 大功率 LED 驱动电路。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

SQJA82EP_T1, SQJA82EP-T1GE3, IRF840, FQP50N06L

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SQJA82EP-T1_GE3参数

现有数量0现货查看交期
价格1 : ￥9.46000剪切带（CT）3,000 : ￥4.01075卷带（TR）
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）8.2 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3000 pF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）68W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK? SO-8
封装/外壳PowerPAK? SO-8

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