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SQJ407EP 发布时间 时间:2025/9/3 18:56:53 查看 阅读:6

SQJ407EP 是一款由日本半导体公司开发的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率、高频应用。该器件采用先进的沟槽栅结构技术,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统等应用。SQJ407EP 封装在高性能的表面贴装封装中,便于在现代电子设备中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):200A
  脉冲漏极电流(Idm):600A
  导通电阻(Rds(on)):3.7mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:PowerPAK SO-8双侧散热封装
  功率耗散(Pd):300W

特性

SQJ407EP 采用了先进的沟槽栅结构技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了效率。此外,该器件具有高电流处理能力,能够在高负载条件下稳定运行。其低栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss)特性使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗。
  该MOSFET还具有优异的热性能,得益于其高效的散热封装设计,能够在高温环境下保持稳定运行。SQJ407EP 的栅极驱动电压范围宽,支持逻辑电平驱动,适用于多种控制电路。
  为了提高可靠性和耐用性,该器件具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在电压瞬变和负载突变情况下保持稳定。此外,SQJ407EP 的封装设计减少了寄生电感,有助于提高开关性能并降低电磁干扰(EMI)。

应用

SQJ407EP 主要应用于需要高功率和高效率的电子系统中,例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。它也常用于汽车电子系统、工业电源设备以及高性能计算机电源系统。由于其高电流处理能力和低导通电阻,SQJ407EP 在电源管理和功率转换领域具有广泛的应用前景。

替代型号

SiS8410, IRF3710, IPB036N06N, SQJ408EP

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