时间：2025/6/10 16:51:33
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SQD97N06-6M3L是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻：45mΩ
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃至+150℃
SQD97N06-6M3L具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高效率。其高开关速度使其适用于高频应用场合。
此外，该器件具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较高的环境温度下正常工作。其小型化的TO-252封装形式有助于节省PCB空间，非常适合紧凑型设计要求。
该芯片还具有较强的雪崩能力和抗静电能力，增强了在恶劣环境下的使用稳定性。
SQD97N06-6M3L适用于多种应用场景，包括但不限于DC-DC转换器、开关电源、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关等。其优异的性能使其成为高效能电子设备的理想选择。
SQD97N06L, FDMC8812, BSS138
