时间：2025/5/10 14:34:02
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SQD50P04-13L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），有助于简化生产流程并提升可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：48nC
工作结温范围：-55℃ to 150℃
热阻（结到壳）：35℃/W
SQD50P04-13L 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 4mΩ，可显著减少导通损耗。
2. 快速开关能力，其低栅极电荷 (Qg) 和输入电容使得开关频率可以达到较高水平。
3. 强大的电流承载能力，连续漏极电流可达 50A，适用于高功率应用。
4. 高可靠性设计，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内稳定运行。
5. 表面贴装封装 (TO-252)，易于自动化生产和集成到紧凑型设计中。
SQD50P04-13L 主要应用于需要高效功率转换的场景，例如：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 大电流 LED 驱动器中的关键元件。
SQD50P04-13,
SQJ507EP,
IRFZ44N,
FDP55N06L
