时间：2025/4/7 10:11:09
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SQD50N06-07L-GE3 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-220 全绝缘封装。该器件适用于开关电源、电机驱动器、负载切换等应用，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。其最大工作电压为 600V，能够承受较高的反向电压，并且在高频开关应用中表现出优异的性能。
该 MOSFET 的封装设计确保了良好的散热性能，同时全绝缘封装提高了产品的可靠性和安全性。此外，SQD50N06-07L-GE3 符合 RoHS 标准，适合环保要求严格的现代电子设备。
型号：SQD50N06-07L-GE3
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：600V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：50A
导通电阻 Rds(on)：7mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗 Ptot：140W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220 全绝缘
主要特点是其低导通电阻和高耐压能力，这使其非常适合需要高效能量转换的应用场景。以下为具体特性：
1. 高击穿电压：600V 的额定漏源电压使得该器件能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：典型值仅为 7mΩ（Vgs=10V），显著降低了传导损耗，提高了效率。
3. 快速开关速度：具备较低的输入电容和输出电荷，适合高频开关应用。
4. 热稳定性：TO-220 封装提供良好的散热性能，可有效降低结温。
5. 安全工作区域宽广：支持大电流和高电压的组合操作，增强了应用灵活性。
6. 全绝缘封装：提高电气隔离性能，减少寄生效应的影响。
这些特性使 SQD50N06-07L-GE3 成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。
1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-DC 转换器、逆变器和 UPS 系统。
2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电动机控制。
3. 电池管理：如电池充电电路中的负载开关。
4. 工业自动化：包括伺服驱动器、PLC 输出模块和固态继电器。
5. 汽车电子：如启动马达控制、发电机调节和电动车窗系统。
6. 高压 LED 驱动：用于大功率 LED 照明系统的恒流控制。
凭借其高性能和可靠性，SQD50N06-07L-GE3 可以满足多种复杂应用场景的需求。
IRF540N, STP55NF06L, FQP50N06L
