时间：2025/6/30 9:37:24
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SQD50N04-5M6_GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号：SQD50N04
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：175W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
SQD50N04-5M6_GE3具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，仅为5.5mΩ，有助于减少导通损耗。
2. 高额定电流，可支持高达50A的连续漏极电流。
3. 良好的热性能，适用于高功率密度的应用场景。
4. 快速开关速度，降低了开关损耗，提升了整体效率。
5. 稳定的电气性能，在宽温度范围内表现优异。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设计要求。
这些特性使得SQD50N04-5M6_GE3成为高效能功率管理的理想选择。
SQD50N04-5M6_GE3的主要应用领域包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的核心元件，用于实现高效的电压转换。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各类负载开关应用，如电池管理系统(BMS)。
5. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
其强大的电流承载能力和快速开关特性，使其非常适合需要高性能功率切换的应用场景。
SQD50N04L-5M6_GE3, IRF540N, FDP50N06L
