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SQD50N02-04L-GE3 发布时间 时间:2025/5/29 0:40:23 查看 阅读:22

SQD50N02-04L-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于低电压应用场合。该器件采用了先进的制造工艺,具有极低的导通电阻和快速开关特性,能够显著提高效率并减少功率损耗。
  这种型号通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等应用中。其封装形式为SOT-23,尺寸小巧,便于在空间受限的设计中使用。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:10nC
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:SOT-23

特性

SQD50N02-04L-GE3具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高耐热性能,能够在极端温度条件下稳定运行。
  4. 小型化封装设计,适合紧凑型电路板布局。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 可靠性高,使用寿命长,适用于多种工业及消费类电子产品。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  2. 负载开关,用于动态控制电路中的电流流向。
  3. 电池保护电路,防止过充或过放现象发生。
  4. 电机驱动电路,提供高效的功率传输。
  5. 移动设备电源管理模块,确保能源高效利用。
  6. 其他需要低导通电阻与快速响应特性的场景。

替代型号

SQD50N02-04L-G, SQD50N02L-08-E3, FDS6680A

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