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SQD45P03-12-GE3 发布时间 时间:2025/5/26 17:44:09 查看 阅读:22

SQD45P03-12-GE3 是一款肖特基二极管阵列(Schottky Diode Array),通常用于保护电子设备免受瞬态电压的影响,如静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌等。该器件具有低电容、快速响应时间以及高箝位能力的特性,适用于高速信号线和数据接口保护。
  该型号属于 Semtech 的 ProtectPLUS 系列,专为 USB 2.0、USB 3.0 和其他高速差分数据线路设计,确保在不影响信号完整性的前提下提供强大的 ESD 保护。

参数

额定电压:3.3V
  最大反向工作电压:5V
  峰值脉冲电流:6A
  结电容:0.4pF
  响应时间:<1ns
  封装类型:DFN-6 (1.2x1.0mm)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

SQD45P03-12-GE3 提供超低电容和快速响应时间,使其非常适合高速数据线保护。其低泄漏电流有助于维持系统的整体效率,同时紧凑的封装使其易于集成到空间受限的设计中。
  此外,它符合 IEC 61000-4-2 标准,可承受 ±15kV 接触放电和 ±15kV 空气放电,确保设备在恶劣环境下的可靠性。其六通道设计允许对多个数据线路进行保护,进一步优化了 BOM 成本和 PCB 布局。

应用

SQD45P03-12-GE3 广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域,具体包括:
  1. USB 2.0/3.0 接口保护
  2. HDMI、DisplayPort 和其他高速差分信号线保护
  3. 移动设备和便携式电子产品中的 ESD 防护
  4. 工业自动化系统中的信号线保护
  5. 汽车电子中的瞬态电压抑制
  由于其高性能和小型化设计,该器件特别适合需要紧凑型解决方案的应用场景。

替代型号

SQD45P03-12-GT3
  SQD45P03-12-BT3
  SQD45P03-12-BC3

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SQD45P03-12-GE3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs83nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3495pF @ 15V
  • 功率 - 最大71W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)