时间：2025/5/8 13:40:29
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SQD40N10-25_GE3 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于需要高效率和低导通电阻的开关应用。该器件采用 TO-252 封装，具有出色的热性能和电气特性，适合用于各种电源管理和电机驱动电路中。
该型号中的 SQD 表示其为功率 MOSFET 系列，40N 表示其最大导通电阻和电压参数，而 10 则代表其耐压等级为 100V。GE3 标识表示该产品经过了第三代工艺优化，具备更低的导通损耗和更高的可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：4.0mΩ
栅极电荷：45nC
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
SQD40N10-25_GE3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，可以显著降低开关损耗。
3. 优秀的热稳定性，能够承受较高的结温，确保在严苛环境下的可靠运行。
4. 提供短路保护功能，增强了器件在异常情况下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
6. 第三代制造工艺改进进一步提升了产品的整体性能和一致性。
SQD40N10-25_GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器和降压/升压模块。
3. 电机驱动电路，包括无刷直流电机（BLDC）控制器。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 通信电源和其他高功率密度应用。
SQD40N10-25_GH3
SQD40N10L-25
FDP040N10S
IRFZ44N
