时间：2025/4/7 10:13:15
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SQD40N10-25-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种开关和功率控制应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
其主要特点是能够承受较高的电压，并在中等电流范围内提供高效的功率转换能力，适合工业、汽车及消费类电子领域的应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：1200pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
提供了优异的电气性能，包括低导通电阻以减少功率损耗，同时具有快速的开关速度，从而降低开关损耗。
它还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
此外，其坚固的设计使其能够承受瞬态电压和电流冲击，非常适合用于需要频繁开关或负载变化的应用场景。
该型号采用 TO-247 封装形式，便于散热管理并简化 PCB 设计过程。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动电路、电源管理模块、逆变器以及 LED 驱动等领域。
在汽车行业中，它可用于启动系统、电动助力转向以及电动车窗等装置。
工业领域中，它可以作为固态继电器或功率放大器的一部分，实现对大功率设备的有效控制。
同时，由于其出色的效率表现，也常被用作消费类电子产品中的电源开关组件。
SQD40N10L-25-GE3
SQD40N10P-25-GE3
IRFZ44N
FDP55N10
