时间：2025/6/28 23:19:17
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SQD35N05-26L-GE3是一款基于MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性，广泛适用于多种功率转换和控制应用。其封装形式为DFN8（2x2mm），适合表面贴装技术，能够有效节省PCB空间。
这款器件在设计时特别注重效率和散热性能，使其成为消费电子、工业设备及通信电源的理想选择。
最大漏源电压：45V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：7nC
输入电容：180pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：DFN8（2x2mm）
SQD35N05-26L-GE3具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，可满足高频应用需求。
3. 小型化封装，支持高密度布局设计。
4. 高温适应性，确保在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 具备优异的雪崩能力和抗静电性能，增强了整体可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的高端或低端开关。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 电机驱动和LED照明电路。
5. 工业自动化设备中的信号切换与保护。
6. 电池管理系统(BMS)中的功率管理模块。
SQD35N05L-GE3
SQD35N05P-GE3
FDMC8811
AO3400
