时间：2025/6/29 10:34:12
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SQD19P06-60L-GE3 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，基于先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频和高效率的电力电子应用。它采用 DPAK 封装形式，能够提供出色的散热性能，适合在紧凑型设计中使用。
此芯片主要用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。其额定电压为 60V，能够满足大多数低压系统的严格要求。
类型：MOSFET
封装：DPAK（TO-252）
额定电压：60V
额定电流：40A
RDS(on)：6mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：15nC（典型值）
最大工作结温：175°C
连续漏极电流：40A（@25°C环境温度）
总功耗：115W（在指定散热条件下）
SQD19P06-60L-GE3 提供了非常低的导通电阻 RDS(on)，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。同时，它的快速开关性能使其能够在高频操作下保持较低的开关损耗。
此外，这款 MOSFET 具备坚固的雪崩击穿能力和良好的短路耐受能力，从而提高了系统的可靠性和安全性。
由于采用了优化的热增强型封装，该器件可有效降低热阻，确保即使在高负载情况下也能维持稳定的性能表现。
其卓越的电气特性和稳健的设计使其成为工业级和消费类应用的理想选择。
SQD19P06-60L-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业自动化设备中的功率管理
5. 太阳能逆变器及储能系统
6. 消费电子产品中的充电电路
7. LED 驱动器及照明解决方案
8. 汽车电子中的辅助功能模块
凭借其高效的性能和可靠的品质，该器件适用于需要高效率和小体积的各种场合。
SQD19P06-60L-G,
SQD19P06-60L-GS,
IRFZ44N,
FDP5570
