时间：2025/6/20 23:14:59
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SQCB7M750JAJWE 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，具有出色的开关性能和低导通电阻特性。它适用于高功率密度的应用场景，如 DC-DC 转换器、无线充电系统以及电机驱动等。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产。
额定电压：750V
连续漏极电流：10A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：65nC
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SQCB7M750JAJWE 具备卓越的电气性能，包括低导通电阻和快速开关速度。这些特点使其能够显著降低功率损耗并提升效率。此外，该器件内置过温保护功能，提高了系统的可靠性和安全性。其紧凑的封装设计还支持更高的功率密度，从而减少了整体系统尺寸。
由于采用了氮化镓技术，SQCB7M750JAJWE 的开关频率远高于传统硅基 MOSFET，这使得它可以应用于更高频率的电力电子转换中。同时，其低寄生电感特性进一步优化了高频下的性能表现。
这款芯片广泛应用于高效率电源管理领域，例如服务器电源、通信基站电源、太阳能逆变器、电动车车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换模块等。此外，在需要高频工作的场景下，比如无线充电发射端和接收端，以及消费类快充适配器中也常见其身影。
SQCB7M750JAJWE 还适合用于工业控制设备中的电机驱动电路，提供稳定且高效的功率输出。
SQCB7M750PAJWE, SQCB8M750JAJWE
